国家/地区 美国（81） 韩国（53） 世界知识产权组织（52） 日本（51） 中国（50） 欧洲专利局（EPO）（31） 台湾（13） 加拿大（7） 印度（6） 德国（5） 俄罗斯（5） 墨西哥（4） 新加坡（3） 澳大利亚（2） 巴西（2） 法国（2）
IPC部 H（152） C（75） B（71）
G（16） D（2） F（2）
IPC大类 H01（152）
IPC小类 H01L（81） C01B（64） B82Y（41）
H01B（37） H01M（36） B32B（28）
B05D（21） C23C（14） H01G（13）
B82B（12） H01J（11） C08K（10）
B01J（8） C08L（7） C09D（7）
IPC C01B031/02（44） C01B031/04（41） B82Y030/00（32）
B82Y040/00（26） H01B001/04（22） C01B031/00（15）
H01B001/24（15） H01L029/786（15） H01L029/16（13）
B32B009/00（12） H01L021/20（12） B05D005/12（11）
B82B003/00（10） C08K003/04（10） H01L021/02（10）
发明人 AKSAY I A（6） AKSAY I（5） JANG B Z（5）
ZHAMU A（5） ZHANG L（5） FAN S（4）
HONG B H（4） JIANG K（4） KIM J（4）
LIU J（4） OOTA N（4） WANG D（4）
ZHANG H（4） AHN J H（3） AWANO H（3）
公开年 2010（69） 2011（53） 2009（28）
申请年 2009（152）
专利权人 AKSAY I A（6） SAMSUNG ELEC.（6） UNIV PRINCET.（6） JANG B Z（5）
ZHAMU A（5） CHINESE ACAD.（4） HITACHI MAXE.（4） NANOTEK INST.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） UNIV TSINGHU.（4） BATTELLE MEM.（3） CRAIN J M（3）
FUJITSU LTD（3） GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3）
HON HAI PREC.（3） HONGFUJIN PR.（3） INT BUSINESS.（3） KOREA ADV IN.（3）

Producing stable colloidal graphene dispersions for producing e.g., graphene layer, by stirring graphite oxide in water dispersion or aprotic solvent to obtain clear colloidal graphene oxide dispersion and thermally reducing graphene oxide.

NESPER R, KASPAR T

Semiconductor device manufacturing method, involves forming catalyze membrane on insulator, forming graphene layer with electric conduction film, matching conduction film with insulator, and performing graphene layer thin changing process.

KONDO D, SATO S

Manufacture of electrode used for e.g. capacitor, involves applying external magnetic field to magnetic material containing nitrogen and/or sulfur, magnetic graphene and magnetic graphite and controlling arrangement direction of molecules.

OOTA N

Flexible printed circuit board, has circuit pattern formed in base substrate, graphene film provided at side of base substrate, electric component connected with circuit pattern, and another graphene film placed in solder resist layer.

AHN J H, CHO S M, HONG B H, KIM H J, SONG Y I

Normal-temperature superconductor used for manufacturing ferromagnetic material for electromagnetic coil, comprises substance containing graphene, and proton donor.

KAWASHIMA YASUSHI, KAWASHIMA Y

Surface-modified nano graphene platelet, useful in e.g. supercapacitor, comprises nano graphene platelet having two opposed surfaces and discrete, non-continuous and non-metallic bumps or nodules bonded, as spacer, to platelet surface.

ZHAMU A, YU Z, LIU C, JANG B Z

Electrically conductive cathode or anode useful for electrochemical cell e.g. alkali battery or lithium metal battery, comprises particles of electroactive material, conductive graphene polymer binder, and conductive filler.

ZHAMU A, JANG B Z, NANOTEK INSTRUMENTS I

Graphene oxide sheet used for graphene-containing material, is obtained by dispersing graphene-containing carbon substance using dispersing agent to reduce size of aggregation unit of carbon substance, and oxidizing resulting product.

FUGETSU B

Air electrode for use in air battery, has graphene layers that are oriented in given direction, and basal plane of carbon material that is appeared upon surface of carbon material.

MIZUNO F, NISHIKORI H, HIGASHI S

Epitaxially growing cold cathode field emitting material, i.e. carbon film, on silicon carbide substrate by controlling density and length-width ratio of graphene strip through pressure and temperature in growth process.

WANG G, WANG W, JIA Y, CHEN X, GUO L, LI K, HUANG Q, PENG T, LIN J